Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M93C56-BN3

文档预览

M93C56-BN3: 产品描述16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE Serial Access EEPROM; 产品类别存储存储; 文件大小436KB，共35页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

下载文档详细参数全文预览

M93C56-BN3概述

16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE Serial Access EEPROM

M93C56-BN3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	PLASTIC, DIP-8
针数	8
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
备用内存宽度	8
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0
长度	9.27 mm
内存密度	2048 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	8
字数	128 words
字数代码	128
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128X16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	SERIAL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.33 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.000015 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn60Pb40)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	SOFTWARE
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

M93C86-x M93C76-x M93C66-x

M93C56-x M93C46-x

16-Kbit, 8-Kbit, 4-Kbit, 2-Kbit and 1-Kbit

(8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE™ serial access EEPROM

Datasheet

production data

Features

•

Industry standard MICROWIRE™ bus

•

Single supply voltage:

– 2.5 V to 5.5 V for M93Cx6-W

– 1.8 V to 5.5 V for M93Cx6-R

PDIP8 (BN)

SO8 (MN)

TSSOP8 (DW)

169 mil width

•

Dual organization: by word (x16) or byte (x8)

•

Programming instructions that work on: byte,

word or entire memory

•

Self-timed programming cycle with auto-erase:

5 ms

•

READY/BUSY signal during programming

•

2 MHz clock rate

•

Sequential read operation

•

Enhanced ESD/latch-up behavior

•

More than 4 million write cycles

•

More than 200-year data retention

•

Packages

– SO8, TSSOP8, UFDFPN8 packages:

ECOPACK2®)

– PDIP8 package:

ECOPACK1®

Table 1. Device summary

UFDFPN8 (MC)

2 x 3 mm

Reference

Part

number

M93C46-W

Memory

size

1 Kbit

Supply

voltage

2.5 V to 5.5 V

1.8 V to 5.5 V

2.5 V to 5.5 V

M93C46-x

M93C46-R

M93C56-W

M93C56-x

M93C56-R

M93C66-W

M93C66-x

M93C66-R

M93C76-W

M93C76-x

M93C76-R

M93C86-W

M93C86-x

M93C86-R

2 Kbit

1.8 V to 5.5 V

2.5 V to 5.5 V

4 Kbit

1.8 V to 5.5 V

2.5 V to 5.5 V

8 Kbit

1.8 V to 5.5 V

2.5 V to 5.5 V

16 Kbit

1.8 V to 5.5 V

December 2015

This is information on a product in full production.

DocID4997 Rev 17

1/35

www.st.com

Contents

M93C86-x M93C76-x M93C66-x M93C56-x M93C46-x

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Connecting to the serial bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Operating features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

3.1

Supply voltage (V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

3.1.1

3.1.2

3.1.3

3.1.4

Operating supply voltage (V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Power-up conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Power-up and device reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Power-down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Memory organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Instructions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

5.1

5.2

Read Data from Memory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Erase and Write data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

5.2.1

5.2.2

5.2.3

5.2.4

5.2.5

Write Enable and Write Disable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Write . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Write All . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Erase Byte or Word . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Erase All . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

READY/BUSY status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Initial delivery state . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Clock pulse counter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Package information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

11.1

11.2

PDIP8 package information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

SO8N package information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

2/35

DocID4997 Rev 17

List of tables

M93C86-x M93C76-x M93C66-x M93C56-x M93C46-x

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 16.

Table 15.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Memory size versus organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Instruction set for the M93C46 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Instruction set for the M93C56 and M93C66 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Instruction set for the M93C76 and M93C86 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Operating conditions (M93Cx6-W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Operating conditions (M93Cx6-R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Cycling performance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Memory cell data retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

AC measurement conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Input and output capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

DC characteristics (M93Cx6-W, device grade 6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

AC characteristics (M93Cx6-W, M93Cx6-R, device grade 6). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

DC characteristics (M93Cx6-R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

AC characteristics (M93Cx6-R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

PDIP8 – 8 lead plastic dual in-line package, 300 mils body width,

package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

SO8N – 8-lead plastic small outline, 150 mils body width,

package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

UFDFN8 - 8-lead, 2 × 3 mm, 0.5 mm pitch ultra thin profile fine pitch dual flat

package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

TSSOP8 – 8-lead thin shrink small outline, 3 x 4.4 mm, 0.5 mm pitch,

package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

4/35

DocID4997 Rev 17

M93C86-x M93C76-x M93C66-x M93C56-x M93C46-x

List of figures

Figure 1.

Figure 2.

Figure 3.

Figure 4.

Figure 5.

Figure 6.

Figure 7.

Figure 8.

Figure 9.

Figure 10.

Figure 11.

Figure 12.

Figure 13.

Figure 14.

Figure 15.

Figure 16.

Figure 17.

Logic diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

8-pin package connections (top view) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Bus master and memory devices on the serial bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

M93Cx6 ORG input connection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

READ, WRITE, WEN, WDS sequences . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

WRAL sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

ERASE, ERAL sequences . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Write sequence with one clock glitch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

AC testing input output waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Synchronous timing (Start and op-code input) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Synchronous timing (Read) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Synchronous timing (Write) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

PDIP8 – 8 lead plastic dual in-line package, 300 mils body width,

package outline. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

SO8N – 8-lead plastic small outline, 150 mils body width, package outline . . . . . . . . . . . . 26

SO8N – 8-lead plastic small outline, 150 mils body width,

package recommended footprint . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

UFDFN8 - 8-lead, 2 × 3 mm, 0.5 mm pitch ultra thin profile fine pitch

dual flat package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

TSSOP8 – 8-lead thin shrink small outline, 3 x 4.4 mm, 0.5 mm pitch,

package outline. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

DocID4997 Rev 17

5/35

推荐资源

不同的走线层，一样的STUB: 高速先生原创文|黄刚 N年的宝贵经验告诉我们，遇到过孔stub时，最好办法就是器件在表层走线靠下层，器件在底层走线就靠上层，这样能把stub降到最低。但是，有没有这样一种情况，你们觉得无论 ......; yvonneGan PCB设计

mplab ide: 哪位大哥能告诉我，mplab ide中的mcp和mcw文件有啥区别？具体是啥意思？还有就是，用mplab ide仿真汇编不用外接kit吗？我仿真了好几次都只显示failed，没有像编译c语言时底下给指出哪行有问 ......; 假面的告白 Microchip MCU

。。。: 逛论坛，看大家做的东西，有一些感触，特此记录：强人太多了，我还很渺小，看到他们的成果，就有一种冲动，崇拜，惊叹，羡慕，还真有点无法用语言表达的此刻内心感觉。。。加油！呵呵呵，有点小 ......; mz1205 聊聊、笑笑、闹闹

MSP430F4152闲聊: 1. 近期弄了下F4152，开始是弄个串口打印，还算顺利，遇到个现象就是串口接收中断和发送中断（作为一个），以及总中断（作为另一个），二者只能有一个使能，若都使能，串口功能异常，尝试了几 ......; springvirus 微控制器 MCU

电话远程控制电路图: 请各位大虾们给我看看下面的电路图是否有问题，那些地方需要改进的，我向实现电话远程控制的，包括振铃检测电路，CPU2051，解码电路MT8870,开关电路，离线/上线/复位电路，电源电路组成。现在赞 ......; TSB51 嵌入式系统

verilog编译问题: 我昨天关电脑之前程序能正常编译，但是今天早上再次打开就不行了，有图示错误，查看了一下具体报告如图，这是什么原因造成的；之前我也遇到过类似情况，是我的程序有bug吗？C:/Users/Maxwell-CZ ......; Maxwell_CZH FPGA/CPLD

马斯克：特斯拉FSD V14驾驶表现将优于人类司机，它“感觉像是有生命的”

8月24日消息，特斯拉CEO埃隆· 马斯克透露了即将发布的FSD V14的相关信息，他表示V14的驾驶表现将优于人类司机。特斯拉FSD负责人阿肖克去年曾表示，FSD在2024年初的12.5版本相比年初已有100倍提升，而V13版本预计可实现1000倍的进步。用户@jamesdouma推测，如果V14在初期测试阶段的表现如马斯克所言，相比现有的V13有明显提升，那么成熟后的V14可能会使FSD进...[详细]
吉利短刀电池产能领先，2027年目标70GWh

8月23日，吉利旗下吉曜通行宣布，公司已拥有行业最大的短刀电池先进产能，并在全国拥有8大生产基地。预计到2027年，吉曜通行将形成70GWh的产能规模。今年4月，吉利整合旗下电池业务成立“吉曜通行”，将原有的金砖电池、神盾短刀电池统一为神盾金砖电池品牌。神盾金砖电池超级混动系列拥有超安全、超快充、超倍率、超长寿命等技术优势，将在极氪、领克、银河等品牌搭载。 5月29日，吉曜通行在生态日活动上...[详细]
基于NiosⅡ+SOPC的LCD显示系统设计

Nios Ⅱ是一种可配置的16/32位RISC处理器，它结合丰富的外设专用指令和硬件加速单元可以低成本地提供极度灵活和功能强大的 SOPC 系统，开发者根据实际需要自行整合。ALTEra 公司所有主流FPGA 器件都支持Nios Ⅱ。将LCD驱动与Nios Ⅱ相结合可以得到一个扩展性强、通用的IP核，从而解决不同型号液晶屏之间的驱动差异问题。 1 NiosⅡ 软核处理器和 SOPC 设...[详细]
基于android的远程控制智能灯

　　当你正在开心地看NBA或者足球的时候，你老婆叫你去把卧室房间的灯关掉，你是否很郁闷，当然不怕老婆的除外。　　现在你们有救了，这款灯可以用android手机app 控制(本人太穷因此不会出Iphone版本) ，让看球的同时，点点手机的按钮就能够关闭的灯了。　　首先，我们先看下整体的架构：　　看看硬件实现，组成部分： arduino主板，W5100(联网)，继电器(5V光电驱动)，普通L...[详细]
电动汽车的电磁辐射对人体健康有没有危害

电动汽车产生的电磁辐射对人体伤害大？近段时间，围绕电动汽车电磁辐射的问题引发广泛关注，然而，事实上，公众的认知大多是错误的，对电动汽车的电磁辐射缺乏正确的认知。9月30日，中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）副秘书长许艳华接受媒体专访，用真实的测试数据做出科学判断：电动汽车产生的电磁辐射对人体健康没有危害。我们生活的环境中，可以说电磁辐射无所不在，电动汽车也不例外，甚至传统的燃油车也有电...[详细]
电动汽车没有发动机那它的报废标准是什么

在很早以前我国的汽车使用年限为15年，只要车辆达到15年，那么就需要强制报废了，不过后来政策改了，改成了只要汽车不超过60万公里，每年都能通过年检，那么就可以一直使用下去。但是我们都知道，汽车年检不通过的原因绝大多数都是因为尾气不合格导致的，那新能源电动汽车没有发动机，它的报废标准又是什么？与传统燃油车的报废标准一样吗？今天咱们就来聊一聊新能源汽车报废这个问题。其实，关于新能源汽车报废这一...[详细]
整合芯片、软件及平台为一体的可穿戴式设计

For healthcare professionals, accurate diagnosis and treatment are crucial for a clear picture of a person's health. However, healthcare professionals often rely on tests at medical facilities, cli...[详细]
盖世汽车供应链：透视中国汽车芯片产业

随着智能电动汽车的快速普及，汽车芯片正从辅助控制单元，跃升为支撑整车智能化的“底座”。其应用范围从动力控制、底盘域、智能座舱、辅助驾驶域延展至整车中央计算平台，构建出一个高算力、高安全、高可靠的硬核体系。在全球芯片巨头如英伟达、高通、英飞凌等持续加码的同时，华为、比亚迪、地平线、黑芝麻智能等本土企业正快速崛起，推动国产替代加速落地。伴随整车架构向中央计算与域控制器转型，汽车芯片的产业链格局正被深...[详细]
速腾聚创：ADAS激光雷达收入下降，但机器人业务扛起大旗

毛利率从去年上半年的13.6%跃升至25.9%，几乎同比翻倍。 8月21日，速腾聚创发布了中期业绩报告，其中毛利率的增长非常亮眼。财报显示，速腾聚创今年上半年收今年第二季度达到了27.7%。其中 ADAS 的毛利率为19.4%，机器人及其他为41.5%，毛利率已经连续第6个季度稳步上升。在电话会上，速腾聚创CEO邱纯潮在业绩会上透露，在L4全球领域的领先企业中，速腾聚创合作的...[详细]
自动驾驶达到什么技术标准才能称为L3级？

在谈及自动驾驶技术时，常会陷入两个极端，一方面是大家对“完全自动驾驶”的美好愿景，另一方面是自动驾驶技术飞速发展过程中对于“安全隐患”的担忧。L3级自动驾驶系统（ADS）恰好处在这两者的张力中——它需要在特定条件下代替人类完成全部动态驾驶任务，同时又必须留出人与机器之间明确的责任与边界。为了规范自动驾驶系统技术要求、保障交通安全与合规性、推动自动驾驶行业健康发展，由中华人民共和国工业和信息化部主...[详细]
单片机stm32的5个时钟源的详细分析

　　众所周知STM32有5个时钟源HSI、HSE、LSI、LSE、PLL，其实他只有四个，因为从上图中可以看到PLL都是由HSI或HSE提供的。　　其中，高速时钟(HSE和HSI)提供给芯片主体的主时钟.低速时钟(LSE和LSI)只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用，图中可以看出高速时钟也可以提供给RTC。　　内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的，起振较快，所以时钟在芯片刚上...[详细]
消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8 月 22 日消息，韩媒 Nate 当地时间 20 日报道称，三星电子正在向其当下最先进的 2nm 级制程工艺中导入 Hyper Cell 技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在 AI / HPC 芯片代工市场的竞争力。单元 (Cell) 是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的 6T 库、7.5T 库）。三星的 ...[详细]
一种BLDC电机驱动的洗衣机控制器设计方案

　　引言　　随着“节能减排”成了国家经济发展“十一五”规划纲要的指标，人们在绿色环保方面的意识也逐渐增加。对已经普及的洗衣机来说，洗衣机的能耗和洗净率指标要求越来越高，所以现阶段洗衣机技术主要强调的是变频节能、低噪声和高洗净。尤其在高端洗衣机功能中，除了突出有触摸按键的人机界面或带除菌技术的健康洗之外，主要就体现在变频控制整机性能的提升。同时，从上世纪70年代电容启动式的单相异步电机控制技术...[详细]
“Wave”家电控制指环

引言　　智能家庭这一概念正在逐步发展并被市场接受。我们认为其终极形式在于所有家电的基于开放接口的互联互通，但基于目前的市场情况来看，各个家电厂商在开放接口方面表现的十分不积极。在这种环境下，一个通用的家电控制平台无疑是很有市场前景的。尤其是结合了体感手势控制技术以后，“Wave”家电控制指环将提供更加自然的用户体验，更容易被市场所接受。 1 系统设计　　“Wave”家电控制指环的主题最初...[详细]
为什么旧风扇要拨一下才转起来

　　炎炎夏日，电风扇是老百姓家里降温祛暑的必备良品，不过，相信多数人都遇到过这种情况，电风扇接通了电源，按下开关，风叶竟然不动?换几档都不行!但只要拨一下风扇叶片，马上就转起来了。这是怎么回事呢? 　　一般家用电风扇都是单相交流220V供电，所用的电机为单相异步电机，这种电机具有结构简单，成本低廉、运行等一系列的有点，所以广泛应用于如电风扇、洗衣机、电冰箱、空调等家电中。那么单相电机的运行...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多