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CMLM0574TRLEADFREE

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小587KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMLM0574TRLEADFREE概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

CMLM0574TRLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.45 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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CMLM0574
Multi Discrete Module
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT SILICON
N-CHANNEL MOSFET AND
LOW VF SCHOTTKY DIODE
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0574
is a Multi Discrete Module™ consisting of a single
N-Channel Enhancement-mode MOSFET and a
Low VF Schottky diode packaged in a space saving
PICOmini™ SOT-563 surface mount case. This
device is designed for small signal general purpose
applications where size and operational efficiency are
prime requirements.
MARKING CODE: 57C
SOT-563 CASE
• Device is
Halogen Free
by design
FEATURES:
• ESD protection up to 2kV
• Low rDS(on) Transistor (560mΩ MAX @ VGS=2.5V)
• Low VF Schottky Diode (0.47V MAX @ 0.5A)
SYMBOL
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
SYMBOL
VDS
VGS
ID
SYMBOL
VRRM
IF
IFRM
IFSM
350
300
150
-65 to +150
357
UNITS
mW
mW
mW
°C
°C/W
UNITS
V
V
mA
UNITS
V
mA
A
A
APPLICATIONS:
• DC - DC Converters
• Battery Powered Portable Equipment
MAXIMUM RATINGS - CASE:
(TA=25°C)
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
MAXIMUM RATINGS - Q1:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
MAXIMUM RATINGS - D1:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current, tp≤1.0ms
Peak Forward Surge Current, tp= 8.0ms
30
8.0
450
40
500
3.5
10
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Q1:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IGSSF, IGSSR VGS=8.0V, VDS=0
IDSS
VDS=30V, VGS=0
BVDSS
VGS=0, ID=10μA
30
VGS(th)
VDS=VGS, ID=250μA
0.5
VSD
VGS=0, IS=400mA
0.5
VGS=4.5V, ID=200mA
280
rDS(ON)
rDS(ON)
VGS=2.5V, ID=100mA
390
rDS(ON)
VGS=1.8V, ID=75mA
550
gFS
VDS =10V, ID=100mA
200
Notes:
(1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm
2
MAX
3.0
1.0
1.0
1.1
460
560
730
UNITS
μA
μA
V
V
V
mS
R2 (2-August 2011)

CMLM0574TRLEADFREE相似产品对比

CMLM0574TRLEADFREE CMLM0574BK
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 符合 不符合
Reach Compliance Code compliant not_compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.45 A 0.45 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES
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