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CZT5551EBK

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小534KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CZT5551EBK概述

Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

CZT5551EBK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压220 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

CZT5551EBK相似产品对比

CZT5551EBK CZT5551EBKLEADFREE CZT5551ETR CZT5551ETR13 CZT5551ETR13LEADFREE CZT5551ETRLEADFREE
描述 Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 Transistor Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 220V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
配置 SINGLE Single SINGLE Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 25 120 25 25 120 120
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W 2 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
厂商名称 - - Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor

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