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CZT250KTR13LEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小528KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CZT250KTR13LEADFREE概述

Transistor

CZT250KTR13LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)1 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)250000
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)125 MHz
Base Number Matches1

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CZT250K
SURFACE MOUNT
EXTREMELY HIGH hFE
NPN SILICON
DARLINGTON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT250K type is
an NPN silicon Darlington transistor manufactured by
the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for applications requiring
extremely high gain.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
50
25
10
1.0
2.0
-65 to +150
62.5
UNITS
V
V
V
A
W
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
fT
VCB=30V
IC=10µA
IC=10mA
IE=100µA
IC=100mA, IB=0.1mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
250,000
250,000
125
50
25
10
MAX
100
UNITS
nA
V
V
V
1.5
2.0
V
V
MHz
R3 (1-March 2010)

CZT250KTR13LEADFREE相似产品对比

CZT250KTR13LEADFREE CZT250KTRLEADFREE CZT250KLEADFREE CZT250KTR13
描述 Transistor Transistor Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4 Transistor
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 250000 250000 250000 250000
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 125 MHz 125 MHz 125 MHz 125 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1
是否Rohs认证 符合 符合 符合 -
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W - 2 W
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