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UPA828TD-T3-A

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小82KB,共8页
制造商NEC(日电)
标准
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UPA828TD-T3-A在线购买

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UPA828TD-T3-A概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN

UPA828TD-T3-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.03 A
基于收集器的最大容量0.8 pF
集电极-发射极最大电压3 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)11000 MHz
Base Number Matches1

UPA828TD-T3-A相似产品对比

UPA828TD-T3-A UPA828TD-A
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, LEADLESS, MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数 6 6
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A
基于收集器的最大容量 0.8 pF 0.8 pF
集电极-发射极最大电压 3 V 3 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带 L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
JESD-609代码 e6 e6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 11000 MHz 11000 MHz
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