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M93C66-BN3P/S

产品描述512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
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文件大小227KB,共38页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M93C66-BN3P/S概述

512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8

512 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, DSO8

M93C66-BN3P/S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
备用内存宽度8
最大时钟频率 (fCLK)2 MHz
JESD-30 代码R-PDIP-T8
长度9.27 mm
内存密度4096 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms

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M93C86, M93C76, M93C66
M93C56, M93C46
16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit (8-bit or 16-bit wide)
MICROWIRE® serial access EEPROM
Features
Industry standard MICROWIRE bus
Single supply voltage:
4.5 V to 5.5 V for M93Cx6
2.5 V to 5.5 V for M93Cx6-W
1.8 V to 5.5 V for M93Cx6-R
PDIP8 (BN)
Dual organization: by word (x16) or byte (x8)
Programming instructions that work on: byte,
word or entire memory
Self-timed programming cycle with auto-
erase: 5 ms
READY/BUSY signal during programming
2 MHz clock rate
Sequential read operation
Enhanced ESD/latch-up behavior
More than 1 million write cycles
More than 40 year data retention
Packages
ECOPACK® (RoHS compliant)
Product list
Part
number
M93C86
M93C86
M93C86-W
M93C86-R
M93C66
M93C66
M93C66-W
M93C66-R
M93C76
M93C76
M93C76-W
M93C46
M93C56
Reference
Part
number
M93C56
M93C56-W
M93C56-R
M93C46
M93C46-W
M93C46-R
SO8 (MN)
150 mil width
TSSOP8 (DW)
169 mil width
Table 1.
Reference
UFDFPN8 (MB)
2 x 3 mm (MLP)
July 2007
Rev 7
1/38
www.st.com
1
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