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NMC95C12MN

产品描述IC 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP14, PLASTIC, DIP-14, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小796KB,共9页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

NMC95C12MN概述

IC 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP14, PLASTIC, DIP-14, Programmable ROM

NMC95C12MN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最大时钟频率 (fCLK)0.5 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性40000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T14
JESD-609代码e0
长度19.18 mm
内存密度1024 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量14
字数64 words
字数代码64
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64X16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.006 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)15 ms
写保护SOFTWARE
Base Number Matches1

NMC95C12MN相似产品对比

NMC95C12MN NMC95C12N NMC95C12MM NMC95C12EM NMC95C12EN
描述 IC 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP14, PLASTIC, DIP-14, Programmable ROM IC 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP14, PLASTIC, DIP-14, Programmable ROM IC 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-14, Programmable ROM IC 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-14, Programmable ROM IC 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP14, PLASTIC, DIP-14, Programmable ROM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 SOP, SOP14,.25 SOP, SOP14,.25 DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.5 MHz 1 MHz 0.5 MHz 0.5 MHz 0.5 MHz
数据保留时间-最小值 10 10 10 10 10
耐久性 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14 R-PDSO-G14 R-PDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 19.18 mm 19.18 mm 8.65 mm 8.65 mm 19.18 mm
内存密度 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 14 14 14 14 14
字数 64 words 64 words 64 words 64 words 64 words
字数代码 64 64 64 64 64
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 125 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -40 °C -40 °C
组织 64X16 64X16 64X16 64X16 64X16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP SOP SOP DIP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 SOP14,.25 SOP14,.25 DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 1.75 mm 1.75 mm 5.08 mm
串行总线类型 MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.006 mA 0.006 mA 0.006 mA 0.006 mA 0.006 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm 3.9 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 15 ms 15 ms 15 ms 15 ms 15 ms
写保护 SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE
厂商名称 - National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
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