M93C76-RDS6TG/S,M93C76-RDS6TG/S pdf中文资料,M93C76-RDS6TG/S引脚图,M93C76-RDS6TG/S电路-Datasheet-电子工程世界

M93C76-RDS6TG/S: 产品描述512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8; 产品类别存储; 文件大小227KB，共38页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M93C76-RDS6TG/S概述

512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8

512 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, DSO8

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	8
最大工作温度	125 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V
最小供电/工作电压	4.5 V
额定供电电压	5 V
最大时钟频率	2 MHz
加工封装描述	2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
表面贴装	Yes
端子形式	NO LEAD
端子间距	0.5000 mm
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	DUAL
包装材料	UNSPECIFIED
温度等级	AUTOMOTIVE
内存宽度	16
组织	512 X 16
存储密度	8192 deg
操作模式	SYNCHRONOUS
位数	512 words
位数	512
备用存储器宽度	8
内存IC类型	MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM
串行并行	SERIAL
写周期最大TWC	5 ms

对特性阻抗的一种浅显易懂的解释: 抽象又复杂的数位高速逻辑原理，与传输线中方波讯号的如何传送，以及如何确保其讯号完整性（Signal Integrity），降低其杂讯（Noise）减少之误动作等专业表达，若能以简单的生活实例加以说明，而非动则搬来一堆数学公式与难懂的物理语言者，则对新手或隔行者之启迪与造福，实有事半功倍举重若轻之受用也。　　然而，众多本科专业者，甚至杏坛为师的博士教授们，不知是否尚未真正进入情况不知其所以然？亦或...; linda_xia 模拟电子

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