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M93C76-RMN3G/W

产品描述512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
产品类别存储   
文件大小227KB,共38页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M93C76-RMN3G/W概述

512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8

512 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, DSO8

M93C76-RMN3G/W规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量8
最大工作温度125 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大时钟频率2 MHz
加工封装描述2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
表面贴装Yes
端子形式NO LEAD
端子间距0.5000 mm
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料UNSPECIFIED
温度等级AUTOMOTIVE
内存宽度16
组织512 X 16
存储密度8192 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数512 words
位数512
备用存储器宽度8
内存IC类型MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM
串行并行SERIAL
写周期最大TWC5 ms
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