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RS1G-TR3G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小368KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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RS1G-TR3G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

RS1G-TR3G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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RS1D-T - RS1M-T
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
1A, 200V - 1000V Surface Mount Fast Recovery Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated chip junction
- Ideal for automated placement
- Fast switching for high efficiency
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound: UL flammability classification rating 94V-0
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.06 g (approximately)
DO-214AC (SMA)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated V
R
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
T
J
=25°C
T
J
=125°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJC
R
θJA
T
J
T
STG
150
SYMBOL
RS1D
-T
RS1D
200
140
200
RS1G
-T
RS1G
400
280
400
RS1J
-T
RS1J
600
420
600
1
30
1.3
5
50
250
10
32
105
- 55 to +150
- 55 to +150
500
RS1K
-T
RS1K
800
560
800
RS1M
-T
RS1M
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
ns
pF
°C/W
°C
°C
UNIT
Document Number: DS_D0000144
Version: B15
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