512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
512 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, DSO8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
备用内存宽度 | 8 |
最大时钟频率 (fCLK) | 2 MHz |
数据保留时间-最小值 | 40 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 4.9 mm |
内存密度 | 16384 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 1024 words |
字数代码 | 1000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 1KX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
串行总线类型 | MICROWIRE |
最大待机电流 | 0.000005 A |
最大压摆率 | 0.002 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 3.9 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | SOFTWARE |
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