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M93C86-WMN3G/S

产品描述512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
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文件大小227KB,共38页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M93C86-WMN3G/S概述

512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8

512 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, DSO8

M93C86-WMN3G/S规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
备用内存宽度8
最大时钟频率 (fCLK)2 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
内存密度16384 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数1024 words
字数代码1000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护SOFTWARE

 
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