UPD442000AGU-BC70X-9JH-A,UPD442000AGU-BC70X-9JH-A pdf中文资料,UPD442000AGU-BC70X-9JH-A引脚图,UPD442000AGU-BC70X-9JH-A电路-Datasheet-电子工程世界

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UPD442000AGU-BC70X-9JH-A: 产品描述256KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-32; 产品类别存储存储; 文件大小373KB，共26页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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UPD442000AGU-BC70X-9JH-A概述

256KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-32

UPD442000AGU-BC70X-9JH-A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSSOP, TSSOP32,.56,20
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e6
长度	11.8 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	256KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP32,.56,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最小待机电流	1 V
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

UPD442000AGU-BC70X-9JH-A相似产品对比

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描述	256KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-32	256KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-32	256KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32	256KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32	256KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-32
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	符合
零件包装代码	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1
包装说明	TSSOP, TSSOP32,.56,20	TSSOP,	TSSOP,	TSSOP,	TSSOP, TSSOP32,.56,20
针数	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	70 ns	55 ns	85 ns	55 ns	85 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e6	e3/e6	e0	e0	e6
长度	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm	11.8 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.2 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	TIN BISMUTH	MATTE TIN/TIN BISMUTH	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
标称供电电压 (Vsup)	-	3 V	3 V	3 V	-
厂商名称	-	-	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)

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