IS42VM16800G-75BLI-TR,IS42VM16800G-75BLI-TR pdf中文资料,IS42VM16800G-75BLI-TR引脚图,IS42VM16800G-75BLI-TR电路-Datasheet-电子工程世界

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IS42VM16800G-75BLI-TR: 产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54; 产品类别存储存储; 文件大小275KB，共33页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS42VM16800G-75BLI-TR概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54

IS42VM16800G-75BLI-TR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B54
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
端子数量	54
字数	8388608 words
字数代码	8000000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装等效代码	BGA54,9X9,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.00001 A
最大压摆率	0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
Base Number Matches	1

IS42VM16800G-75BLI-TR相似产品对比

	IS42VM16800G-75BLI-TR	IS42VM16800G-75BLI	IS42RM16800G-75BLI	IS42RM16800G-75BLI-TR
描述	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, TFBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, TFBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16
端子数量	54	54	54	54
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	TFBGA	TFBGA	FBGA
封装等效代码	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A
最大压摆率	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	3.3 V	3.3 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM

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