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IDT7MPV6200S60M

产品描述Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 17ns, CMOS
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文件大小459KB,共7页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MPV6200S60M概述

Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 17ns, CMOS

IDT7MPV6200S60M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间17 ns
其他特性8K X 8 CACHE TAG
JESD-30 代码R-XDMA-N160
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量160
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX64
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

IDT7MPV6200S60M相似产品对比

IDT7MPV6200S60M IDT7MPV6200S50M
描述 Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 17ns, CMOS Cache Tag SRAM Module, 32KX64, 20ns, CMOS
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant _compli
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 17 ns 20 ns
其他特性 8K X 8 CACHE TAG 8K X 8 CACHE TAG
JESD-30 代码 R-XDMA-N160 R-XDMA-N160
内存密度 2097152 bit 2097152 bi
内存集成电路类型 CACHE TAG SRAM MODULE CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度 64 64
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 160 160
字数 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 32KX64 32KX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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