PDM41027SA/S15T,PDM41027SA/S15T pdf中文资料,PDM41027SA/S15T引脚图,PDM41027SA/S15T电路-Datasheet-电子工程世界

PDM41027SA/S15T: 产品描述Standard SRAM, 1MX1, 15ns, CMOS, PDSO28,; 产品类别存储存储; 文件大小428KB，共11页; 制造商IXYS

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PDM41027SA/S15T概述

Standard SRAM, 1MX1, 15ns, CMOS, PDSO28,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	TSSOP, TSSOP28,.53,22
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	15 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
端子数量	28
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.185 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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