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M95640-RDW6TG

产品描述8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小721KB,共53页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M95640-RDW6TG概述

8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

8K × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

M95640-RDW6TG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明0.169 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES; 40 YEARS DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)5 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.4 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
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