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SI7856DP-E3

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI7856DP-E3概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

SI7856DP-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)14 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5.4 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
Base Number Matches1
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