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OL5412L-W157-MJ

产品描述DFB Laser Module Emitter, 1567nm Min, 1573nm Max, MU-J Connector, Panel Mount
产品类别无线/射频/通信    光纤   
文件大小82KB,共5页
制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd
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OL5412L-W157-MJ概述

DFB Laser Module Emitter, 1567nm Min, 1573nm Max, MU-J Connector, Panel Mount

OL5412L-W157-MJ规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
主体高度27.6 mm
主体长度或直径6.8 mm
内置特性ISOLATOR, MONITOR PHOTODIODE
连接类型MU-J CONNECTOR
最长下降时间0.3 ns
光纤设备类型DFB LASER MODULE EMITTER
光纤类型9/125, SMF
安装特点PANEL MOUNT
信道数量2
最高工作温度65 °C
最低工作温度
最大工作波长1573 nm
最小工作波长1567 nm
标称工作波长1570 nm
上升时间0.3 ns
电源电流60 mA
最大供电电压1.5 V
标称供电电压1.1 V
表面贴装NO
最小阈值电流10 mA
传输类型DIGITAL
Base Number Matches1

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JOG-00934
OKI
Electronics Components
Rev.1. [Dec. 2001 ]
OL3412L-Wnnn,OL4412L-Wnnn,
OL5412L-Wnnn,OL6412L-Wnnn
S
Coaxial DFB Laser Diode Modules with Single Mode Fiber.
2mW
i
1. DESCRIPTION
Preliminary
OL3412L-Wnnn, OL4412L-Wnnn, OL5412L-Wnnn, OL6412L-Wnnn are laser diode coaxial modules
with single mode fiber pigtails.
2. FEATURES
· Single mode fiber output: Po=2mW
· Includes monitor PD for power control
· Multi-quantum-well (MQW) DFB structure
· Side mode suppression ratio: 30dB
· Wide operation temperature range
· Without optical isolator
3. APPLICATION
· Coarse WDM (
~
1.25Gb/s)
4.OPTICAL AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
a
= 0 to 65°C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max. Unit
Fiber Output Power
Po
CW
2
---
---
mW
Threshold Current
Ith(25)
CW, Ta=25°C
---
10
35
mA
Threshold Current
Ith(65)
CW, Ta=65°C
---
27
40
mA
Operation current
Iop(65)
Po=2mW, CW, Ta=65°C
---
60
120
mA
Forward Voltage
Vf
Po=2mW, CW
---
1.1
1.5
V
OL3412L-W131 1307 1310 1313
nm
OL4412L-W147 1467 1470 1473
nm
OL4412L-W149 1487 1490 1493
nm
1513
nm
Po=2mW
OL5412L-W151 1507 1510
, CW,
Peak Wavelength
OL5412L-W153 1527 1530 1533
nm
λp
Ta=25
°C
OL5412L-W155 1547 1550
1553
nm
OL5412L-W157 1567 1570 1573
nm
OL5412L-W159 1587 1590 1593
nm
OL6412L-W161 1607 1610 1613
nm
Side Mode Suppression
SMSR
Po=2mW, CW
30
---
---
dB
Ratio
Po=2mW,Im=const.,
Tracking Error
TRE
-1.0
---
1.0
dB
related to 25°C
Rise Time
---
0.3
0.5
ns
τr
Ibias = Ith
Po=2mW,10-90%
Fall Time
---
0.3
0.5
ns
τf
Photodiode Dark Current
I
D
V
R
(PD)=5V
---
8
50
nA
Po=2mW,CW,
50
250
---
µA
Monitor Current
Im
V
R
(PD)=5V
TRE= 10*log{Pf/Pf(25°C)}
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