4500mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, THIN, MINIMOLD, SC-95, 6 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | SC-95 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | ESD PROTECTED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.07 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e6 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Bismuth (Sn98Bi2) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| UPA1912TE-A | UPA1912TE | UPA1912TE-T1 | UPA1912TE-AT | UPA1912TE-T2 | UPA1912TE(0)-T1-AT | UPA1912TE-T1-A | UPA1912TE-T1-AT | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 4500mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, THIN, MINIMOLD, SC-95, 6 PIN | 4500mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, THIN, MINIMOLD, SC-95, 6 PIN | UPA1912TE-T1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,4.5A I(D),TSOP | UPA1912TE-T2 | Pch Single Power MOSFET -12V -4.5A 50mohm 6pin TMM/SC-95 Automotive | Pch Single Power MOSFET -12V -4.5A 50mohm 6pin TMM/SC-95 Automotive | Pch Single Power MOSFET -12V -4.5A 50mohm 6pin TMM/SC-95 Automotive |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | unknown | compliant | unknown | compliant | compliant | compliant |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | - | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | SC-95 | SC-95 | - | - | - | TMM | TMM | TMM |
| 针数 | 6 | 6 | - | - | - | 6 | 6 | 6 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | Single | - | - | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.5 A | 4.5 A | - | 4.5 A | - | - | 4.5 A | 4.5 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C | - | - | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | - | P-CHANNEL | - | - | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W | - | 2 W | - | - | 2 W | 2 W |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES | - | - | YES | YES |
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