SI2301DST,SI2301DST pdf中文资料,SI2301DST引脚图,SI2301DST电路-Datasheet-电子工程世界

SI2301DST: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小107KB，共4页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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SI2301DST概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

SI2301DST规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	12 V
最大漏极电流 (ID)	2.3 A
最大漏源导通电阻	0.13 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

SI2301DST相似产品对比

	SI2301DST	SI2301DSTT1-E3	SI2301DSTT2-E3	SI2301DST-E3	SI2301DSTT2	SI2301DSTT1
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
最大漏极电流 (ID)	2.3 A	2.3 A	2.3 A	2.3 A	2.3 A	2.3 A
最大漏源导通电阻	0.13 Ω	0.13 Ω	0.13 Ω	0.13 Ω	0.13 Ω	0.13 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
JESD-609代码	e0	e3	e3	e3	-	-
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	-	-
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合	不符合	不符合
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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