Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CBRHD-01TR13LEADFREE

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CBRHD-01TR13LEADFREE: 产品描述Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 100V V(RRM),; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小540KB，共3页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CBRHD-01TR13LEADFREE概述

Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 100V V(RRM),

CBRHD-01TR13LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	4
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	0.8 A
最大重复峰值反向电压	100 V
表面贴装	YES
Base Number Matches	1

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CBRHD-01

SURFACE MOUNT SILICON

HIGH DENSITY

0.8 AMP

BRIDGE RECTIFIER

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRHD-01 is a

silicon full wave bridge rectifier mounted in a durable

epoxy surface mount molded case, utilizing glass

passivated chips.

MARKING CODE: CBD1

FEATURES:

•

Efficient use of board space: requires only 42mm

of board

space vs. 120mm

of board space needed for industry

standard 1.0 Amp surface mount bridge rectifier.

•

50% higher density (Amps/mm

) than the industry standard

1.0 Amp surface mount bridge rectifier.

•

Glass passivated chips for high reliability.

HD DIP CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TA=40°C) (Note1)

Average Forward Current (TA=40°C) (Note 2)

Peak Forward Surge Current

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance (Note 3)

SYMBOL

VRRM

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

100

0.5

0.8

-65 to +150

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

TYP

MAX

VR= 100V

5.0

VR= 100V, TA=125°C

IF=400mA

VR=4.0V, f=1.0MHz

9.0

500

1.0

UNITS

µA

Notes: (1) Mounted on Glass-Epoxy PCB.

(2) Mounted on Ceramic PCB.

(3) Mounted on PCB with 0.5” x 0.5” copper pads.

R3 (22-August 2016)

CBRHD-01TR13LEADFREE相似产品对比

	CBRHD-01TR13LEADFREE	CBRHD-01TR13	CBRHD-01BK
描述	Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 100V V(RRM),	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 100V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT, PLASTIC, DIP-4	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 100V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT, PLASTIC, DIP-4
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V
最大非重复峰值正向电流	30 A	30 A	30 A
元件数量	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	0.8 A	0.5 A	0.5 A
最大重复峰值反向电压	100 V	100 V	100 V
表面贴装	YES	YES	YES
Base Number Matches	1	1	1
是否无铅	-	含铅	含铅
零件包装代码	-	DIP	DIP
包装说明	-	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
针数	-	4	4
其他特性	-	UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY	UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压	-	100 V	100 V
二极管元件材料	-	SILICON	SILICON
JESD-30 代码	-	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
JESD-609代码	-	e0	e0
相数	-	1	1
端子数量	-	4	4
最低工作温度	-	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	-	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	-	GULL WING	GULL WING
端子位置	-	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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