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SMCG9.0-HE3/9AT

产品描述1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCG, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SMCG9.0-HE3/9AT概述

1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCG, 2 PIN

SMCG9.0-HE3/9AT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-215AB
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
最大击穿电压12.2 V
最小击穿电压10 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-215AB
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压9 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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SMCG5.0 thru SMCG188CA
Vishay General Semiconductor
Surface Mount T
RANS
Z
ORB
®
Transient Voltage Suppressors
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated chip junction
• Available in Unidirectional and Bidirectional
• Excellent clamping capability
• Very fast response time
• Low incremental surge resistance
DO-215AB (SMCG)
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak
of 260 °C
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
T
j
max.
5.0 V to 188 V
1500 W
6.5 W
200 A
150 °C
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and
lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units
for consumer, computer, industrial, automotive and
telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-215AB (SMCG)
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity:
For unidirectional types the band denotes
cathode end, no marking on bidirectional types
DEVICES FOR BIDIRECTION APPLICATIONS
For bidirectional devices use C or CA suffix
(e.g. SMCG188CA).
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs waveform
(1,2)
Peak pulse current with a 10/1000 µs waveform
(1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only
(2)
Power dissipation on infinite heatsink, T
A
= 50 °C
Operating junction and storage temperature range
Note:
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
= 25 °C per Fig. 2
(2) Mounted on 0.31 x 0.31" (8.0 x 8.0 mm) copper pads to each terminal
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
I
FSM
P
D
T
J
, T
STG
VALUE
Minimum 1500
see next table
200
6.5
- 55 to + 150
UNIT
W
A
A
W
°C
Document Number 88457
08-Sep-06
www.vishay.com
1
ISA DMA驱动源地址和目的地址设置的问题
unsigned long flags = claim_dma_lock(); disable_dma(channel); // 清除dma触发器 clear_dma_ff(channel); set_dma_mode(channel, mode); // 为DMA缓冲区分配地址。该函数 ......
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