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RN1909TE85L

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小109KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1909TE85L概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

RN1909TE85L规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknown
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

RN1909TE85L相似产品对比

RN1909TE85L RN1909TE85R RN1909TE85N RN1908TE85L RN1908TE85N RN1908TE85R
描述 TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 70 70 70 80 80 80
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V 0.3 V
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 -
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