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HCPL-J312

产品描述Logic IC Output Optocoupler, 1-Element, 3750V Isolation, DIP-8
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小310KB,共24页
制造商HP(Keysight)
官网地址http://www.semiconductor.agilent.com/
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HCPL-J312概述

Logic IC Output Optocoupler, 1-Element, 3750V Isolation, DIP-8

HCPL-J312规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP-8
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
配置COMPLEX
最大正向电流0.016 A
最大绝缘电压3750 V
JESD-609代码e0
元件数量1
最高工作温度100 °C
最低工作温度-40 °C
光电设备类型LOGIC IC OUTPUT OPTOCOUPLER
最小供电电压15 V
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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2.0 Amp Output Current IGBT
Gate Drive Optocoupler
Technical Data
HCPL-3120
HCPL-J312
HCNW3120
Features
• 2.0 A Minimum Peak Output
Current
• 15 kV/
µ
s Minimum Common
Mode Rejection (CMR) at
V
CM
= 1500 V
• 0.5 V Maximum Low Level
Output Voltage (V
OL
)
Eliminates Need for Negative
Gate Drive
• I
CC
= 5 mA Maximum Supply
Current
• Under Voltage Lock-Out
Protection (UVLO) with
Hysteresis
• Wide Operating V
CC
Range:
15 to 30 Volts
• 500 ns Maximum Switching
Speeds
• Industrial Temperature
Range:
-40°C to 100°C
• Safety Approval
UL Recognized
2500 Vrms for 1 min. for
HCPL-3120
3750 Vrms for 1 min. for
HCPL-J312
5000 Vrms for 1 min. for
HCNW3120
CSA Approval
VDE 0884 Approved
V
IORM
= 630 Vpeak for
HCPL-3120 (Option 060)
V
IORM
= 891 Vpeak for
HCPL-J312
V
IORM
= 1414 Vpeak for
HCNW3120
BSI Certified (HCNW3120
only) (Pending)
Applications
• IGBT/MOSFET Gate Drive
• AC/Brushless DC Motor
Drives
• Industrial Inverters
• Switch Mode Power
Supplies
Functional Diagram
HCPL-3120/J312
N/C
1
8 V
CC
7 V
O
6 V
O
5 V
EE
N/C
1
HCNW3120
8 V
CC
7 V
O
6 N/C
5 V
EE
ANODE 2
CATHODE 3
N/C 4
ANODE 2
CATHODE 3
N/C 4
SHIELD
SHIELD
TRUTH TABLE
V
CC
- V
EE
V
CC
- V
EE
“POSITIVE GOING” “NEGATIVE GOING”
(i.e., TURN-ON)
(i.e., TURN-OFF)
0 - 30 V
0 - 11 V
11 - 13.5 V
13.5 - 30 V
0 - 30 V
0 - 9.5 V
9.5 - 12 V
12 - 30 V
LED
OFF
ON
ON
ON
V
O
LOW
LOW
TRANSITION
HIGH
A 0.1
µ
F bypass capacitor must be connected between pins 5 and 8.
CAUTION: It is advised that normal static precautions be taken in handling and assembly of this component
to prevent damage and/or degradation which may be induced by ESD.
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