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HB56R864ES-7

产品描述Fast Page DRAM Module, 8MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168
产品类别存储    存储   
文件大小367KB,共24页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56R864ES-7概述

Fast Page DRAM Module, 8MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168

HB56R864ES-7规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
最大待机电流0.096 A
最大压摆率1.264 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HB56R864ES-7相似产品对比

HB56R864ES-7 HB56R864ES-6
描述 Fast Page DRAM Module, 8MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168 Fast Page DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 70 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8MX64 8MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
最大待机电流 0.096 A 0.096 A
最大压摆率 1.264 mA 1.424 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL

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