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MJD50-I

产品描述1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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MJD50-I概述

1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3

MJD50-I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明IPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1

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MJD47/50
MJD47/50
High Voltage and High Reliability
D-PAK for Surface Mount Applications
• Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)
• Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)
• Electrically Similar to Popular TIP47 and TIP50
1
D-PAK
1.Base
1
I-PAK
3.Emitter
2.Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Parameter
Collector-Emitter Voltage
: MJD47
: MJD50
Collector-Emitter Voltage
: MJD47
: MJD50
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25°C)
Collector Dissipation (T
a
=25°C)
T
J
T
STG
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
350
500
250
400
5
1
2
0.6
15
1.56
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
(sus)
Parameter
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
: MJD47
: MJD50
Collector Cut-off Current
: MJD47
: MJD50
I
CES
Collector Cut-off Current
: MJD47
: MJD50
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
V
CE
= 350, V
EB
= 0
V
CE
= 500, V
EB
= 0
V
BE
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 0.3A
V
CE
= 10V, I
C
= 1A
I
C
= 1A, I
B
= 0.2A
V
CE
= 10A, I
C
= 1A
V
CE
=10V, I
C
= 0.2A
10
30
10
0.1
0.1
1
150
1
1.5
V
V
MHz
mA
mA
mA
V
CE
= 150V, I
B
= 0
V
CE
= 300V, I
B
= 0
0.2
0.2
mA
mA
Test Condition
I
C
= 30mA, I
B
= 0
Min.
250
400
Max.
Units
V
V
I
CEO
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001

MJD50-I相似产品对比

MJD50-I MJD47-I
描述 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 IPAK-3 IPAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 400 V 250 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz
Base Number Matches 1 1

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