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2SD2115L

产品描述Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SD2115L概述

Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier)

2SD2115L规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)150
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)18 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SD2115L相似产品对比

2SD2115L 2SD2115(L)/(S) 2SD2115 2SD2115S
描述 Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier)
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 2 A - 2 A 2 A
配置 SINGLE - Single SINGLE
极性/信道类型 NPN - NPN NPN
表面贴装 NO - YES YES
Base Number Matches 1 - 1 1

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