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MWT-3HP-B

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小230KB,共4页
制造商Microwave_Technology_Inc.
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MWT-3HP-B概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE

MWT-3HP-B规格参数

参数名称属性值
包装说明UNCASED CHIP, R-XXUC-N
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带K BAND
JESD-30 代码R-XXUC-N
元件数量1
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)10 dB
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UNSPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

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