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MWT-PH16A

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共3页
制造商IXYS
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MWT-PH16A概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET,

MWT-PH16A规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压9 V
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带K BAND
JESD-30 代码R-XQMW-F
元件数量1
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROWAVE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置QUAD
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

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MwT-PH16A
20 GHz Power AlGaAs/InGaAs PHEMT
Preliminary Data Sheet
June 2007
Features:
+31.0 dBm Output Power at 12 GHz
11 dB Small Signal Gain at 12 GHz
50% PAE at 12 GHz
0.25 x 1600 Micron Refractory Metal/Gold
Gate
Sorted into 50 mA Idss Bin Ranges
Excellent for High Power, Gain, and High
Power-Added-Efficiency Applications
Ideal for Commercial, Military, and Space
Applications
Chip Dimensions: 1126 x 330 microns
Chip Thickness: 100 microns
All dimensions in microns
Description:
The MwT-PH16A is a AlGaAs/InGaAs pHEMT device whose nominal 0.25 micron gate length and 1600 micron gate width make it
ideally suited for applications requiring high-gain and high power up to 20 GHz . The device is equally effective for either wideband
(e.g. 6 to 18 GHz) or narrow-band applications in EW, Radar, Instrumentation and Communications equipment .
Electrical Specifications:
SYMBOL
P1dB
SSG
PAE
PARAMETERS & CONDITIONS
Output Power at 1dB Compression
Vds=8.0 V Ids=0.6xIDSS
Small Signal Gain
Vds=8.0 V Ids=0.6xIDSS
Power Added Efficiency at P1dB
VdS=8.0 V Ids=0.6xIDSS
at Ta= 25
°
C
FREQ
F=12 GHz
F=18 GHz
F=12 GHz
F=18 GHz
12 GHz
UNITS
dBm
dB
%
MIN
29.0
9.5
TYP
31.0
31.0
11.0
9.0
50
MicroWave Technology, Inc. an IXYS Company, 4268 Solar Way, Fremont, CA 94538
510-651-6700
FAX
510-651-2208
WEB
www.mwtinc.com
Data contained herein is subject to change without notice. All rights reserved © 2007
Page 1 of 3, Revised June 2007

MWT-PH16A相似产品对比

MWT-PH16A
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET,
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 9 V
FET 技术 HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带 K BAND
JESD-30 代码 R-XQMW-F
元件数量 1
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROWAVE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 QUAD
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