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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHF58Z30CM
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IRHF58Z30CM

产品描述Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小133KB，共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRHF58Z30CM概述

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

IRHF58Z30CM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）177 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)18 A
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.03 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码S-CSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD-93824E
RADIATION HARDENED
POWER MOSFET
THRU-HOLE (TO-257AA)
Product Summary
Part Number Radiation Level R
DS(on)
IRHY57Z30CM 100K Rads (Si) 0.03Ω
IRHY53Z30CM 300K Rads (Si) 0.03Ω
IRHY54Z30CM 500K Rads (Si)
IRHF58Z30CM 1000K Rads (Si)
0.03Ω
0.035Ω
IRHY57Z30CM
JANSR2N7482T3
30V, N-CHANNEL
REF: MIL-PRF-19500/702
5

TECHNOLOGY
™
I
D
QPL Part Number
18A* JANSR2N7482T3
18A* JANSF2N7482T3
18A* JANSG2N7482T3
18A* JANSH2N7482T3
International Rectifier’s R5
TM
technology provides
high performance power MOSFETs for space
applications. These devices have been characterized
for Single Event Effects (SEE) with useful performance
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm
2
)). The combination
of low R
DS(on)
and low gate charge reduces the power
losses in switching applications such as DC to DC
converters and motor control. These devices retain
all of the well established advantages of MOSFETs
such as voltage control, fast switching, ease of
paralleling and temperature stability of electrical
parameters.
TO-257AA
Features:
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened
Ultra Low R
DS(on)
Low Total Gate Charge
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Ceramic Package
Light Weight
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 12V, TC = 25°C
ID @ VGS = 12V, TC = 100°C
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
À
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Á
Avalanche Current
À
Repetitive Avalanche Energy
À
Peak Diode Recovery dv/dt
Â
Operating Junction
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
* Current is limited by package
For footnotes refer to the last page
18*
18*
72
75
0.6
±20
177
18
7.5
1.7
-55 to 150
Pre-Irradiation
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
o
C
300 (0.063in./1.6mm from case for 10 sec)
4.3 (Typical)
g
www.irf.com
1
04/25/06

IRHF58Z30CM相似产品对比

IRHF58Z30CM IRHF58Z30CMPBF IRHY54Z30CM IRHY53Z30CM IRHY53Z30CMPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合 符合
包装说明 HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
其他特性 ULTRA-LOW RESISTANCE ULTRA-LOW RESISTANCE ULTRA-LOW RESISTANCE ULTRA-LOW RESISTANCE ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas） 177 mJ 177 mJ 177 mJ 177 mJ 177 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A
最大漏源导通电阻 0.03 Ω 0.03 Ω 0.03 Ω 0.03 Ω 0.03 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA
JESD-30 代码 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 72 A 72 A 72 A 72 A 72 A
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 18 A - 16 A 16 A -
JESD-609代码 e0 - e0 e0 -
最大功率耗散 (Abs) 75 W - 75 W 75 W -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
Base Number Matches 1 1 1 1 -

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