IRHF53Z30PBF,IRHF53Z30PBF pdf中文资料,IRHF53Z30PBF引脚图,IRHF53Z30PBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRHF53Z30PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小138KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRHF53Z30PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN

IRHF53Z30PBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	520 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	12 A
最大漏源导通电阻	0.045 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	48 A
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRHF53Z30PBF相似产品对比

	IRHF53Z30PBF	IRHF53Z30	IRHF54Z30	IRHF54Z30PBF	IRHF57Z30	IRHF58Z30
描述	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	符合	不符合	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	520 mJ	520 mJ	520 mJ	520 mJ	520 mJ	520 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A
最大漏源导通电阻	0.045 Ω	0.045 Ω	0.045 Ω	0.045 Ω	0.045 Ω	0.045 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	48 A	48 A	48 A	48 A	48 A	48 A
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	12 A	12 A	-	12 A	12 A
JESD-609代码	-	e0	e0	-	e0	e0
最大功率耗散 (Abs)	-	25 W	25 W	-	25 W	25 W
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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