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IC61C256AH-25NI

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
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文件大小98KB,共9页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IC61C256AH-25NI概述

Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

IC61C256AH-25NI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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