Silicon Controlled Rectifier, 306A I(T)RMS, 195000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AB
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | HIGH SPEED |
标称电路换相断开时间 | 12 µs |
配置 | SINGLE |
最大直流栅极触发电流 | 200 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
最大维持电流 | 600 mA |
JEDEC-95代码 | TO-209AB |
JESD-30 代码 | O-MUPM-H3 |
JESD-609代码 | e0 |
最大漏电流 | 40 mA |
通态非重复峰值电流 | 4900 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最大通态电流 | 195000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 306 A |
重复峰值关态漏电流最大值 | 40000 µA |
断态重复峰值电压 | 800 V |
重复峰值反向电压 | 800 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
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