HGTH12N40E1,HGTH12N40E1 pdf中文资料,HGTH12N40E1引脚图,HGTH12N40E1电路-Datasheet-电子工程世界

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HGTH12N40E1: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小49KB，共5页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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HGTH12N40E1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC

HGTH12N40E1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	12 A
集电极-发射极最大电压	400 V
配置	SINGLE
最大降落时间（tf）	1000 ns
门极发射器阈值电压最大值	4.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-218AC
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	75 W
最大功率耗散 (Abs)	75 W
认证状态	Not Qualified
最大上升时间（tr）	50 ns
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	400 ns
最大开启时间（吨）	50 ns
VCEsat-Max	3.2 V
Base Number Matches	1

HGTH12N40E1相似产品对比

	HGTH12N40E1	HGTH12N40C1	HGTH12N50C1	HGTH12N50E1
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	12 A	12 A	12 A	12 A
集电极-发射极最大电压	400 V	400 V	500 V	500 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大降落时间（tf）	1000 ns	500 ns	500 ns	1000 ns
门极发射器阈值电压最大值	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V
JEDEC-95代码	TO-218AC	TO-218AC	TO-218AC	TO-218AC
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	75 W	75 W	75 W	75 W
最大功率耗散 (Abs)	75 W	75 W	75 W	75 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大上升时间（tr）	50 ns	50 ns	50 ns	50 ns
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	400 ns	400 ns	400 ns	400 ns
最大开启时间（吨）	50 ns	50 ns	50 ns	50 ns
VCEsat-Max	3.2 V	3.2 V	3.2 V	3.2 V
Base Number Matches	1	1	1	1

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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