High-Current Switching Applications
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | TO-220MF |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 7 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 20 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SD1907 | 2SB1271 | |
---|---|---|
描述 | High-Current Switching Applications | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220MF, 3 PIN |
零件包装代码 | TO-220MF | TO-220MF |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 7 A | 7 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V | 80 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 30 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 140 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
极性/信道类型 | NPN | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 40 W | 40 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 20 MHz | 20 MHz |
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