MB81V18165B-60LPFTN,MB81V18165B-60LPFTN pdf中文资料,MB81V18165B-60LPFTN引脚图,MB81V18165B-60LPFTN电路-Datasheet-电子工程世界

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MB81V18165B-60LPFTN: 产品描述EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共31页; 制造商FUJITSU(富士通); 官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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MB81V18165B-60LPFTN概述

EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44

MB81V18165B-60LPFTN规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	TSOP2, TSOP44/50,.46,32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEELF REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
长度	20.95 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	44
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44/50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.00015 A
最大压摆率	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

MB81V18165B-60LPFTN相似产品对比

	MB81V18165B-60LPFTN	MB81V18165B-60PJ	MB81V18165B-50PJ	MB81V18165B-50LPFTN
描述	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	TSOP2, TSOP44/50,.46,32	SOJ, SOJ42,.44	SOJ, SOJ42,.44	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	60 ns	50 ns	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEELF REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-J42	R-PDSO-J42	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	20.95 mm	27.3 mm	27.3 mm	20.95 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	44	42	42	44
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	SOJ	SOJ	TSOP2
封装等效代码	TSOP44/50,.46,32	SOJ42,.44	SOJ42,.44	TSOP44/50,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024
座面最大高度	1.2 mm	3.75 mm	3.75 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	NO	NO	YES
最大待机电流	0.00015 A	0.0005 A	0.0005 A	0.00015 A
最大压摆率	0.15 mA	0.15 mA	0.18 mA	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	J BEND	J BEND	GULL WING
端子节距	0.8 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	-	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)

MB81V18165B-60LPFTN

MB81V18165B-60LPFTN概述

MB81V18165B-60LPFTN规格参数

MB81V18165B-60LPFTN相似产品对比

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