EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间 | 70 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J28 |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 2MX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 2048 |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | J BEND |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved