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BU930Z

产品描述TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,350V V(BR)CEO,20A I(C),TO-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小248KB,共5页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BU930Z概述

TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,350V V(BR)CEO,20A I(C),TO-3

BU930Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
最大集电极电流 (IC)20 A
配置DARLINGTON
JESD-609代码e0
最高工作温度175 °C
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

BU930Z相似产品对比

BU930Z BU930ZP
描述 TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,350V V(BR)CEO,20A I(C),TO-3 TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,350V V(BR)CEO,20A I(C),TO-218
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
最大集电极电流 (IC) 20 A 20 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 175 °C 175 °C
极性/信道类型 NPN NPN
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1

 
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