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RN1966CT(TE85L)

产品描述PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),LLCC
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小191KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1966CT(TE85L)概述

PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),LLCC

RN1966CT(TE85L)规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.05 A
最小直流电流增益 (hFE)120
元件数量2
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.05 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN1961CT~RN1966CT
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1961CT,RN1962CT,RN1963CT
RN1964CT,RN1965CT,RN1966CT
Switching Applications
Inverter Circuit Applications
Interface Circuit Applications
Driver Circuit Applications
0.9±0.05
Unit: mm
1.0±0.05
0.15±0.03
0.2±0.03
0.6±0.02
Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more
compact equipment and save assembly cost.
0.2±0.03
0.35±0.02
0.35±0.02
0.075±0.03
0.7±0.03
Complementary to RN2961CT to RN2966CT
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN1961CT
RN1962CT
R2
RN1963CT
RN1964CT
E
RN1965CT
RN1966CT
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
CST6
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
(E1)
1.EMITTER1
(E2)
2.EMITTER2
(B2)
3.BASE2
4.COLLECTOR2 (C2)
(B1)
5.BASE1
6.COLLECTOR1 (C1)
B
R1
2-1K1A
Weight: 1 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
(Q1, Q2 common)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1961CT
to 1966CT
RN1961CT
to 1964CT
Emitter-base voltage
RN1965CT,
1966CT
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
20
20
10
V
EBO
5
I
C
RN1961CT
to
RN1966CT
P
C
(Note1)
T
j
T
stg
50
50
150
−55
to 150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
Equivalent Circuit
(top view)
6
Q1
5
4
Q2
1
2
3
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note1: Total rating
1
2009-04-14
0.38 +0.02
-0.03
0.05±0.03

RN1966CT(TE85L)相似产品对比

RN1966CT(TE85L) RN1961CT(TE85L) RN1964CT(TE85L) RN1963CT(TE85L)
描述 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),LLCC PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),LLCC PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),LLCC PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),LLCC
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
最小直流电流增益 (hFE) 120 30 120 100
元件数量 2 2 2 2
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.05 W 0.05 W 0.05 W 0.05 W
表面贴装 YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
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