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RU101T147

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小28KB,共1页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RU101T147概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

RU101T147规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)150
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

RU101T147相似产品对比

RU101T147 RU101T146
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 150 150
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
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