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MT48G8M16LFF4-10IT

产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, VFBGA-54
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共65页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT48G8M16LFF4-10IT概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, VFBGA-54

MT48G8M16LFF4-10IT规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA54,9X9,32
针数54
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
JESD-609代码e0
长度8 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)235
电源3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.00035 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm
Base Number Matches1
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