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2SD1262A

产品描述Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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2SD1262A概述

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

2SD1262A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1

2SD1262A相似产品对比

2SD1262A 2SD1262
描述 Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 80 V 60 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 500 500
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1.3 W 1.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 20 MHz 20 MHz
Base Number Matches 1 1
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