IC,SRAM,16KX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
最长访问时间 | 85 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-XQCC-N20 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16384 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 1 |
端子数量 | 20 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 16KX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | QCCN |
封装等效代码 | LCC20,.3X.43 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.00002 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.104 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
Base Number Matches | 1 |
HM4-65262-9 | BTA410X-600BT | HM4-65262C-9 | HM1-65262C-9 | |
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描述 | IC,SRAM,16KX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | 3Q Hi-Com Triac | IC,SRAM,16KX1,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | IC,SRAM,16KX1,CMOS,DIP,20PIN,CERAMIC |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant | - | not_compliant | not_compliant |
最长访问时间 | 85 ns | - | 85 ns | 85 ns |
I/O 类型 | SEPARATE | - | SEPARATE | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-XQCC-N20 | - | R-XQCC-N20 | R-XDIP-T20 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
内存密度 | 16384 bit | - | 16384 bit | 16384 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 1 | - | 1 | 1 |
端子数量 | 20 | - | 20 | 20 |
字数 | 16384 words | - | 16384 words | 16384 words |
字数代码 | 16000 | - | 16000 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
组织 | 16KX1 | - | 16KX1 | 16KX1 |
输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC | - | CERAMIC | CERAMIC |
封装代码 | QCCN | - | QCCN | DIP |
封装等效代码 | LCC20,.3X.43 | - | LCC20,.3X.43 | DIP20,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | - | CHIP CARRIER | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | - | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.00002 A | - | 0.0004 A | 0.0004 A |
最小待机电流 | 2 V | - | 2 V | 2 V |
最大压摆率 | 0.104 mA | - | 0.104 mA | 0.104 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | - | YES | NO |
技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | QUAD | - | QUAD | DUAL |
Base Number Matches | 1 | - | 1 | 1 |
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