电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SMAJ40CATRTS

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小391KB,共6页
制造商Fagor Electrónica
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SMAJ40CATRTS概述

Trans Voltage Suppressor Diode,

SMAJ40CATRTS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
峰值回流温度(摄氏度)260
端子面层Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
SMAJ5.0A .......... 188A
SMAJ5.0CA ..... 188CA
400 W Unidirectional and Bidirectional Surface Mounted Transiend Voltage Suppresor Diodes
DO-214AC (SMA)
Voltage
6 V to 220 V (Uni)
6 V to 220 V (Bid)
Power
400 W / ms
FEATURE
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• 400 W peak pulse power capability with a
10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty
cycle): 0.01%
• Excellent clamping capability
• Very fast response time
Low incremental surge resistance
Available in uni-directional and bi-directional
• Solder dip 260 ºC, 10s
• AEC-Q101 qualified
• Component in accordance to RoHS 2011/65/EU
and WEEE 2002/96/EC
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 260 ºC
• Halogen-free avalaible according to IEC 61249-2-21
denifition
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA). Epoxy meets UL 94V-0 flam-
mability rating.
Polarity:
For unidirectional types color band denotes cathode
end. No marking on bidirectional types.
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per MIL-STD-750
Method 2026, J-STD-002 and JESD22-B102. Consumer grade,
meets JESD 201 class 1A whisker test.
HE3 suffix
for high reliability grade, meets JESD 201 class
2 whisker test.
TYPICAL APPLICATIONS
Used in sensitive electronics protection against voltage tran-
sients induced by inductive load switching and lighting on ICs,
MOSFET, signal lines of sensor units for consumer, computer,
industrial, automotive and telecommunication.
Maximun Ratings and Electrical Characteristics at 25 °C
P
PPM
I
FSM
V
F
Peak Pulse Power Dissipation with 10/1000
ms
exponential pulse
Peak Forward Surge Current 8.3 ms.
(Jedec Method)
(Note 1)
Max. Forward voltage drop at I
F
= 50 A
(JEDEC Method)
(Note 1)
400 W
40 A
3.5 V
- 65 to + 175 ºC
- 65 to + 150 ºC
- 65 to + 175 ºc
Operating Junction
T
j
Temperature Range
Storage Temperature Range
V
BR
43 V
V
BR
>
43 V
T
stg
Note 1: Only for Unidirectional
www.fagorelectronica.com
Document Name: smaj
Revision: 5
Version: Jun-19
Page Number: 1 / 6
软件仿真
Error: Can't write to data memory 0x950, check memory config 如何解决这个错误呀!大神们!谢谢解疑!!...
羽翼之杨勇0102 DSP 与 ARM 处理器
有没有这个东东资料
有没有这个东东资料??...
fhwrepwq DIY/开源硬件专区
[TI首届低功耗设计大赛]+寄存器版本的ADC试验+内部1.2v参考电压+P1.1A1通道采样
这篇是FR5969的ADC的寄存器的版本使用芯片内部1.2V参考电压的简单试验。 本试验使用是FR5969片内的P1.1管脚对应的ADC通道1也就是A1,和前面的ADC试验最大的不同是使用的参考电压为芯片内部的1. ......
IC爬虫 微控制器 MCU
【MSP430共享】简易心电图仪的设计
为方便人们 实时 了解 心律 的变化 , 根据心 电信号特征设计 了便携 式心 电图仪 。它采用新型低功耗的16位单片机 MS P 4 3 0 F 2 2 7 4作为整个系统的控制核心, 利用低噪声、 低功耗、 共模 ......
鑫海宝贝 微控制器 MCU
可充电触屏遥控模块设计
可充电触屏遥控模块设计 204780 ...
dontium 模拟与混合信号

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2675  2160  2553  2822  999  29  15  10  53  19 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved