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MBM29F160TE-55TN

产品描述2MX8 FLASH 5V PROM, 55ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
产品类别存储    存储   
文件大小241KB,共53页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MBM29F160TE-55TN概述

2MX8 FLASH 5V PROM, 55ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

2M × 8 FLASH 5V 可编程只读存储器, 70 ns, PDSO48

MBM29F160TE-55TN规格参数

参数名称属性值
Objectid1490625069
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 1M X 16
启动块TOP
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
类型NOR TYPE
宽度12 mm
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