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R23DG8B

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 315A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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R23DG8B概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 315A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB,

R23DG8B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-MUPM-H1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-205AB
JESD-30 代码O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流8000 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度200 °C
最大输出电流315 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
Base Number Matches1
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