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71V67802150BGG

产品描述Cache SRAM
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文件大小350KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V67802150BGG概述

Cache SRAM

71V67802150BGG规格参数

参数名称属性值
包装说明BGA,
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间3.8 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
座面最大高度2.36 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm
Base Number Matches1

 
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