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SMV2112-01

产品描述Variable Capacitance Diode, 56pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DIE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共1页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
标准  
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SMV2112-01概述

Variable Capacitance Diode, 56pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DIE

SMV2112-01规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIE
包装说明X-XUUC-N
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比2.6
标称二极管电容56 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码X-XUUC-N
元件数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数150
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1

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PLASTIC SURFACE MOUNT
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
SMV2101 - SMV2115
PART
NUMBER
♦ ♦♦
SMV2101
SMV2102
SMV2103
SMV2104
SMV2105
SMV2106
SMV2107
SMV2108
SMV2109
SMV2110
SMV2111
SMV2112
SMV2113
SMV2114
SMV2115
CAPACITANCE
@ 4 Vdc
f = 1 MHz (pF)
6.8
8.2
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
27.0
33.0
39.0
47.0
56.0
68.0
82.0
100.0
MIN QUALITY FACTOR CAPACITANCE RATIO
Q @ 4 Vdc
f = 1 MHZ C•2V / C•30V
f = 50 MHz
MIN
450
2.5
450
2.5
400
2.5
400
2.5
400
2.5
350
2.5
350
2.5
300
2.5
200
2.5
150
2.5
150
2.5
150
2.6
150
2.6
100
2.6
100
2.6
AVAILABLE
IN THE FOLLOWING
PACKAGES
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -08, -15
-01, -09, -15
-01, -09, -15
-01, -09, -15
-01, -09, -15
-01, -09, -15
DC Power Dissipation
Reverse Breakdown Voltage
Max Reverse Current (I
R
)
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Capacitance Tolerance:
@ Ta = 25°C
@ 10µA
@ Ta = 25° C
250 mW
30 V Min
0.1 µA @ 25 Vdc
-55 to + 125° C
-65 to + 150° C
±10%
♦♦♦
Package Styles
Requires adding a dash suffix number to the part number
SOT23 SINGLE
SOT23 Common Anode
TO-92 Two Terminal (TMV)
CHIPS
-08
-09
-15
-01
P.O. BOX 609
ROCKPORT, MAINE 04856
207-236-6076
FAX 207-236-9558
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