Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 56 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
Base Number Matches | 1 |
KSR1008TA | KSR1008BU | |
---|---|---|
描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 56 | 56 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz | 250 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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