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SMJ44400-10HMM

产品描述IC 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 100 ns, CDSO20, 0.400 INCH, CERAMIC, SOLCC-26/20, Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小795KB,共22页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

SMJ44400-10HMM概述

IC 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 100 ns, CDSO20, 0.400 INCH, CERAMIC, SOLCC-26/20, Dynamic RAM

SMJ44400-10HMM规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DLCC
包装说明SON, SOLCC20/26,.4
针数26
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Is SamacsysN
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDSO-N20
长度17.78 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SON
封装等效代码SOLCC20/26,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度2.337 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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